Elementu pasiboen eragina frekuentzia altuko bihurgailuetan

  1. Asier Arruti Romero 1
  2. Jon Anzola García 1
  3. Iosu Aizpuru Larrañaga 1
  4. Mikel Mazuela Larrañaga 1
  1. 1 Universidad de Mondragón/Mondragon Unibertsitatea
    info

    Universidad de Mondragón/Mondragon Unibertsitatea

    Mondragón, España

    ROR https://ror.org/00wvqgd19

Book:
Ingeniaritza eta arkitektura: IV. Ikergazte Nazioarteko Ikerteta Euskaraz. 2021eko ekainaren 9, 10 eta . Gasteiz, Euskal Herria.
  1. Olatz Arbelaitz Gallego (ed. lit.)
  2. Ainhoa Latatu (ed. lit.)
  3. Miren Josu Omaetxebarria Ibarra (ed. lit.)
  4. Blanca Urgell Lázaro (ed. lit.)

Publisher: Udako Euskal Unibertsitatea, UEU = Universidad Vasca de Verano

ISBN: 978-84-8438-788-6

Year of publication: 2021

Pages: 33-40

Congress: Ikergazte. Nazioarteko Ikerketa Euskaraz (4. 2021. null)

Type: Conference paper

DOI: 10.26876/IKERGAZTE.IV.03.04 DIALNET GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen access editor

Sustainable development goals

Abstract

Azkeneko urteetan hainbat aurrerapen nabarmen egin dira potentzia elektronikaren eremuan, adibidez SiC-en eta GaN-en oinarritutako transistoreak. Halere, teknologia berri hauetan oinarritutako potentzia bihurgailuak ezin ditugu beren mugetaraino eraman, frekuentzia altuetan elementu pasiboak sistemaren botila-lepoa bihurtzen direlako. Lan honetan, elementu pasiboek frekuentzia altuko bihurgailuetan duten eragina aztertzen dugu, bereziki elementu magnetikoak. Diseinu klasikoetan kontsideratzen ez diren hainbat efektu azaltzen dira, eta frekuentzia alturako egokitua dagoen diseinu estrategia baten beharra adierazten da. Aldi berean, diseinurako estrategia mota ezberdinak era laburrean azaldu ditugu. Azkenik, bihurgailuen helburu anitzeko diseinu metodologien garrantzia azaldu dugu.